栅极材料的革命(Gate Electrode) （转）

请问半导体技术中gate poly 译成什么？ polysilicon gate多晶硅栅极简称poly gate，就是MOS管用多晶硅做栅极，用氧化硅做绝缘层，gate poly应该是指做栅极的多晶硅材料.

2021年6月15日 — （2um以前的时代都是Metal Gate，1.5um以下的时代都是Poly Gate了)。 而Poly Gate本身也是一波三折，最早用PolyGate的时候Poly都是Doped Poly (540~560C)， ...

2019年6月15日 — 至此，PolyGate的革命算是走向成熟了，所以说PolyGate几乎统治了半导体栅极革命的数十年整个亚微米时代 (Sub-Micron era)，到半导体进入到纳米时代，则栅极 ...

2023年7月5日 — (補充)nFET用N+ poly-Si gate；pFET用P+ poly-Si gate是為了 臨界電壓對稱Vtn=|Vtp| 。 (4) 因為有pn junction，因此要做多晶矽微影與蝕刻，再把光阻 ...

2023年6月11日 — 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K，Poly gate換成metal gate。 涉及材料學的特性，因為High-K都是金屬氧化物(如HfO2)，所以跟金屬的接面特性比較好 ...

由 楊學修 著作 · 2006 — （poly gate）。此四個步驟中間並無間斷，於是當最後製程結果不合乎預期. 時必須要有量化的方式去釐清哪一個製程反應室出問題。對於基底氧化層、. 後氮化回火製程與 ...

2024年4月22日 — 電晶體尺寸以CPP (Contact Poly Pitch)代表，CPP是gate length、2 spacer (2LSP)和S/D長度的總和(圖2) [1]。 圖1. 電晶體技術節點(Technology Node)與閘極 ...

金氧半導體場效電晶體(MOSFET)是. 過去三十年來微電子工業最重要的技術，. 根據國際半導體技術所設定的指標(ITRS. Roadmap)[1]，基本上可符合莫耳定律.

所引發在Poly Gate的空乏效應(Poly. Depletion Effect)越大，這猶如介電層電容. 串接了一個Poly Depletion電容，使得等. 效閘極電容變小，導通電流因此而降. 低。除此之外 ...